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　　大基金（国家集成电路产业投资基金）三期的首个项目浮出水面，其子基金国投新集将以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本192.1574万元。本次交易完成后，国投集新对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约12.7137%。

　　拓荆键科为拓荆科技（688072）的控股子公司。同日，还披露了定增募资46亿元加码主业的预案。

　　9月12日晚间，拓荆科技披露关于向控股子公司增资暨关联交易的公告，称根据公司发展战略规划，为进一步推动控股子公司拓荆键科在三维集成设备领域的迅速发展，拓荆键科本次拟以投前估值25亿元的价格，融资共计不超过10.395亿元。

　　其中，公司拟以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本192.1574万元，其中约2.71亿元将以上市公司对拓荆键科经评估后的债权出资、约1.79亿元以自有资金出资。本次交易完成后，公司对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约为53.5719%。

　　更值得关注的是，国投集新（北京）股权投资基金（有限合伙）（简称“国投集新”）拟以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本人民币192.1574万元。本次交易完成后，国投集新对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约为12.7137%。

　　公开资料显示，国投集新系大基金三期的子基金，而拓荆键科或为大基金三期投资的第一个项目。

　　天眼查显示，国投新集的股东为国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司、国投创业（北京）私募基金管理有限公司。

　　国投集新基金成立于2024年12月31日，出资额710.71亿元，主要出资人是大基金三期。国投创业（北京）私募基金管理有限公司作为执行事务合伙人出资7100万元，穿透股权后其大股东为国家开发投资集团有限公司，实控人为国务院国资委。

　　参与拓荆键科本次增资的投资者还有上海华虹虹芯二期创业投资合伙企业(有限合伙)，员工持股平台上海展昀禾科技合伙企业（有限合伙）（简称“展昀禾”）、上海展昀启科技合伙企业（有限合伙）（简称“展昀启”）及海宁融创经开产业投资合伙企业（有限合伙）（简称“海宁融创”）。

　　此外，拓荆键科除上述增资事项外，其现有股东上海鑫强汇科技合伙企业（有限合伙）（简称“上海鑫强汇”）拟以拓荆键科投前估值25亿元计算，向不超过6名与公司及拓荆键科非关联关系的投资方转让其持有拓荆键科79.4249万元注册资本。上述6名受让方受让上海鑫强汇持有的拓建键科股权后，拟将受让股权的表决权全权委托给拓荆科技行使。

　　拓荆科技披露，经上述拓荆键科本次增资、股东股权转让及表决权委托事项后，公司预计将合计控制拓荆键科约77.7069%的表决权，拓荆键科仍为公司属于公司合并报表范围内的控股子公司。

　　大基金三期为什么愿意以投前25亿元估值投资拓荆键科？答案是三维集成和键合技术。

　　拓荆科技公告，拓荆键科为公司控股子公司，主要聚焦应用于三维集成领域先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化应用。

　　拓荆键科现已先后推出了晶圆对晶圆混合键合设备、晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆键合前表面预处理设备、芯片对晶圆混合键合设备、键合套准精度量测产品、键合套准精度量测设备、永久键合后晶圆激光剥离设备等产品。目前公司产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。

　　AI大模型及生成式AI快速发展，不断推升对AI算力芯片的需求。HBM凭借高带宽、低功耗等特性，成为AI芯片性能突破的核心组件，引领先进封装和3D堆叠技术发展，从而给后道封装设备带来激增的需求，键合设备率先受益。

　　据摩根大通预测，HBM TCB设备市场规模将从2024年的4.61亿美元大幅增长，到2027年有望突破15亿美元，实现超两倍的扩张。Yole数据显示，2024年混合键合设备市场增速达67%，其在HBM市场的渗透率将从2025年的1%跃升至2028年的36%，对应市场规模从900万美元爆发式增长至8.73亿美元，年复合增长率超150%。

　　财务数据显示，拓荆键科2024年的营业收入、净利润分别为9729.50万元、-213.65万元。

　　同日，拓荆科技还披露定增预案，公司拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过46亿元，将用于高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目建设及补充流动资金。

　　公司表示，本次定增募投项目，旨在推动高端设备行业高质量发展，面向行业发展需求提升公司可持续增长能力，扩充高端设备产能增强公司核心竞争优势。

　　根据SEMI预测，全球300mm晶圆厂设备投资预计将在2025年增长20%至1165亿美元，2026年将增长12%至1305亿美元，在未来几年内将呈现大幅增长趋势；而中国大陆市场也将在2025年-2027年保持每年300亿美元以上的投资规模，继续引领全球晶圆厂设备支出。

　　据SEMI统计，作为半导体三大核心设备之一的薄膜沉积设备在半导体设备全球销售额中占比达到约22%，在晶圆产能持续扩张的大背景下，以薄膜沉积设备为代表的半导体设备产业将迎来新一轮的发展机遇与更广阔的市场空间。

　　拓荆科技披露，自成立以来，公司始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。目前，公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备产品系列，可为集成电路芯片制造产线提供高端的专用半导体设备。